半導(dǎo)體行業(yè)對(duì)材料純度與放射性控制的嚴(yán)苛要求，使得大明化學(xué)TB系列高純氧化鋁球成為該領(lǐng)域的選研磨介質(zhì)。其核心優(yōu)勢(shì)在于99.99%的超高純度和極低放射性（U<4ppb，Th<5ppb），這兩大特性為半導(dǎo)體制造提供了關(guān)鍵保障。以下是具體分析：

1. 超高純度（>99.99%）確保芯片材料潔凈度

半導(dǎo)體制造對(duì)雜質(zhì)極其敏感，尤其是堿金屬（Na、K）和過(guò)渡金屬（Fe、Cr），它們可能影響晶體管閾值電壓、柵極氧化層完整性，甚至導(dǎo)致器件失效。大明化學(xué)TB氧化鋁球的雜質(zhì)含量極低：

• Na: 8ppm, K: 4ppm, Fe: 8ppm, Cr: 2ppm

• 相比普通氧化鋁球（Na:50-200ppm, Fe:50-300ppm），其雜質(zhì)引入風(fēng)險(xiǎn)降低10倍以上。

在CMP拋光漿料和介電陶瓷粉體制備中，這種高純度可避免金屬污染，確保晶圓表面無(wú)缺陷，提高良率。

2. 極低放射性（U<4ppb, Th<5ppb）防止α粒子軟錯(cuò)誤

半導(dǎo)體器件（尤其是DRAM和先進(jìn)邏輯芯片）對(duì)α粒子極其敏感，鈾（U）和釷（Th）的衰變會(huì)釋放α粒子，導(dǎo)致存儲(chǔ)單元數(shù)據(jù)錯(cuò)誤（軟錯(cuò)誤）。大明化學(xué)TB球的放射性控制：

• U<4ppb, Th<5ppb，遠(yuǎn)低于普通氧化鋁球（U:10-50ppb）

• 氧化鋯球因含稀土元素（如Y?O?穩(wěn)定劑），放射性可能更高。

這一特性在3D NAND閃存和FinFET工藝中尤為重要，可減少芯片封裝后的可靠性問(wèn)題。

3. 其他適配半導(dǎo)體工藝的關(guān)鍵性能

• 耐磨性：α-氧化鋁晶體結(jié)構(gòu)使其壽命達(dá)普通氧化鋁球的7倍，減少更換頻率，降低停機(jī)污染風(fēng)險(xiǎn)。

• 耐腐蝕性：抗酸堿（如HF清洗液）和高溫漿料，適應(yīng)半導(dǎo)體濕法工藝。

• 粒徑控制（φ0.1mm起）：適合納米級(jí)漿料（如銅布線(xiàn)CMP）的均勻分散，避免過(guò)度研磨。

對(duì)比其他研磨介質(zhì)的劣勢(shì)

• 氧化鋯球：雖韌性好，但密度高（6g/cm3）可能過(guò)度剪切納米材料，且放射性風(fēng)險(xiǎn)較高。

• 普通氧化鋁球：雜質(zhì)多，易引入污染，壽命短。

結(jié)論

大明化學(xué)TB氧化鋁球通過(guò)材料超純化和放射性管控，解決了半導(dǎo)體制造中研磨污染的痛點(diǎn)。其綜合性能在介電材料制備、晶圓拋光漿料、封裝材料加工等環(huán)節(jié)均展現(xiàn)不可替代性，成為頭部半導(dǎo)體企業(yè)的長(zhǎng)期選擇。