hydac賀德克壓力傳感器特點介紹

hydac賀德克壓力傳感器采用集成工藝將電阻條集成在單晶硅膜片上,制成硅壓阻芯片,并將此芯片的周邊固定封裝于外殼之內(nèi)，hydac賀德克壓力傳感器引出電極引線。hydac賀德克壓力傳感器不同于粘貼式應(yīng)變計需通過彈性敏感元件間接感受外力，而是直接通過硅膜片感受被測壓力的。hydac賀德克壓力傳感器硅膜片的一面是與被測壓力連通的高壓腔，hydac賀德克壓力傳感器另一面是與大氣連通的低壓腔。硅膜片一般設(shè)計成周邊固支的圓形，hydac賀德克壓力傳感器直徑與厚度比約為20～60。在圓形硅膜片(N型)定域擴散4條P雜質(zhì)電阻條,并接成全橋，其中兩條位于壓應(yīng)力區(qū)，另兩條處于拉應(yīng)力區(qū)，hydac賀德克壓力傳感器相對于膜片中心對稱。hydac賀德克壓力傳感器硅柱形敏感元件也是在硅柱面某一晶面的一定方向上擴散制作電阻條 ，hydac賀德克壓力傳感器兩條受拉應(yīng)力的電阻條與另兩條受壓應(yīng)力的電阻條構(gòu)成全橋。
hydac賀德克壓力傳感器壓阻效應(yīng)：hydac賀德克壓力傳感器當(dāng)力作用于硅晶體時，hydac賀德克壓力傳感器晶體的晶格產(chǎn)生變形,使載流子從一個能谷向另一個能谷散射,hydac賀德克壓力傳感器引起載流子的遷移率發(fā)生變化，hydac賀德克壓力傳感器擾動了載流子縱向和橫向的平均量，hydac賀德克壓力傳感器從而使硅的電阻率發(fā)生變化。hydac賀德克壓力傳感器這種變化隨晶體的取向不同而異，因此硅的壓阻效應(yīng)與晶體的取向有關(guān)。hydac賀德克壓力傳感器硅的壓阻效應(yīng)不同于金屬應(yīng)變計，hydac賀德克壓力傳感器前者電阻隨壓力的變化主要取決于電阻率的變化，hydac賀德克壓力傳感器后者電阻的變化則主要取決于幾何尺寸的變化（應(yīng)變），hydac賀德克壓力傳感器而且前者的靈敏度比后者大50～100倍。
① hydac賀德克壓力傳感器頻率響應(yīng)高(例如有的產(chǎn)品固有頻率達(dá)1.5兆赫以上),hydac賀德克壓力傳感器適于動態(tài)測量; 
② hydac賀德克壓力傳感器體積小（例如有的產(chǎn)品外徑可達(dá)0.25毫米），hydac賀德克壓力傳感器適于微型化； 
③ hydac賀德克壓力傳感器精度高，可達(dá)0.1～0.01％；  
④ hydac賀德克壓力傳感器靈敏高,比金屬應(yīng)變計高出很多倍，有些應(yīng)用場合可不加放大器； 
⑤ hydac賀德克壓力傳感器無活動部件，hydac賀德克壓力傳感器可靠性高，hydac賀德克壓力傳感器能工作于振動、沖擊、腐蝕、強干擾等惡劣環(huán) 境。hydac賀德克壓力傳感器其缺點是溫度影響較大（有時需進(jìn)行溫度補償）、hydac賀德克壓力傳感器工藝較復(fù)雜和造價高等。

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