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佳和試劑-新式氧化鉿研制成功 有望制造下一代光電設備-供應商

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新式氧化鉿研制成功 有望制造下一代光電設備-供應商

  據(jù)美國物理學家組織網(wǎng)2月7日報道,英國劍橋大學工程系的安德魯·弗洛維特*的研究團隊,研制出一種介電常數(shù)更高的新式氧化鉿,有望用于制造下一代更微型的電子設備、光電設備以及更的太陽能電池等。目前,氧化鉿已成為電子工業(yè)領(lǐng)域的關(guān)鍵材料。

  氧化鉿等金屬氧化物的應用范圍非常廣泛。正常情況下,它們一般通過噴濺在基座上制造而成。然而,當科學家們試圖通過噴濺制造高質(zhì)量的電子材料時,卻碰到了一個問題,即很難控制沉積過程的能量情況以及材料的屬性。為此,弗洛維特團隊使用了英國等離子探索有限公司研發(fā)的新奇沉積技術(shù)——利用高靶濺射(HiTUS)來促進等離子濺射。

  氧化鉿是一種電絕緣體,能被用于制造光學涂層、電容器以及晶體管等。因為氧化鉿的介電常數(shù)(電位移與產(chǎn)生電位移的電場密度之間的比率)比較高,而材料的介電常數(shù)越高,其存儲電荷的能力越強,也就是說電容越大,有些公司目前正用氧化鉿替代晶體管中的二氧化硅。

  氧化鉿可以不同的非晶體結(jié)構(gòu)和多晶體結(jié)構(gòu)的形式出現(xiàn)。但非晶體結(jié)構(gòu)缺少多結(jié)晶結(jié)構(gòu)內(nèi)存在的晶界(一個多晶體內(nèi)材料內(nèi),兩個晶體相遇的點就是晶界),因此比多晶體結(jié)構(gòu)更好。晶界就像導電通路,不僅會讓電阻率變小,也會導致設備大面積出現(xiàn)導電能力不均的情況,這會導致設備的性能變得不均勻。然而,迄今為止,非晶體氧化鉿的介電常數(shù)一直比較低,僅為20左右,而弗洛維特團隊研制出的新式氧化鉿的介電常數(shù)則高于30。

  弗洛維特表示,與其他形式相比,非結(jié)晶電介質(zhì)(包括氧化鉿)的性質(zhì)更加均勻,而且,沒有晶界也使材料的電阻率更高、光子散射更低。

  研究人員在室溫下,利用快速沉積過程制造出了新材料,這使其尤其適合用來制造有機電子器件、大容量的半導體等。沒有晶界也使該材料成為制造光學涂層和太陽能設備的理想材料。

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