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東莞市工搜電子有限公司
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SICK傳感器資料有哪些
2017-10-12 閱讀(140)
SICK傳感器資料有哪些
與德國SICK傳感器相比，單晶硅做應(yīng)變電阻材料，具有較高的靈敏度，單晶硅材料具有相同高的縱向和橫向靈敏靈敏因子，有利于設(shè)計優(yōu)良的壓阻電橋，保證傳感器有zui大的輸出；應(yīng)變電阻與襯底之間用SiO2介質(zhì)層隔離，減小了漏電流，顯著提高了傳感器的工作溫度范圍；由于Si與SiO2之間的直接鍵合，接觸面很匹配，沒有其它過濾層，避免了附加應(yīng)力的產(chǎn)生，提高了傳感器的電學與力學特性；同時，單晶硅SOI傳感器的制作工藝與傳統(tǒng)的CMOS制作工藝兼容，易于實現(xiàn)集成化。所以這是一種性能理想的高溫壓力傳感器。
其制作方法是，用硅片直接鍵合減薄的單晶硅SOI材料，襯底為高電阻率P型單晶硅，然后對單晶硅進行高濃度B擴散，并用等離子體干法刻蝕電阻條，用LPCVD法雙面淀積Si3N4保護膜，背面光刻腐蝕窗口，各向異性腐蝕硅杯；zui后光刻引線孔，并做多層金屬化。上述步驟完成后，再對芯片進行靜電封接、壓焊、封裝等后道工序。
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