濕法去膠剝離機(jī)臺(tái)是半導(dǎo)體制造中用于去除光刻膠、臨時(shí)鍵合層及工藝殘留物的關(guān)鍵設(shè)備，通過(guò)化學(xué)腐蝕或物理輔助手段實(shí)現(xiàn)高效、可控的清潔處理。以下是其技術(shù)原理、核心功能及應(yīng)用場(chǎng)景的詳細(xì)介紹：

一、技術(shù)原理與核心功能

化學(xué)濕法剝離

顯影液體系：采用TMAH（四甲基氫氧化銨）、NMD-3等堿性溶液溶解正性光刻膠，或使用特定溶劑（如PGMEA）去除負(fù)極膠。

溫度與時(shí)間控制：通過(guò)加熱（30-80℃）加速化學(xué)反應(yīng)，結(jié)合噴淋或浸沒(méi)模式均勻剝離膠層，避免局部殘留。

超聲波輔助：低頻超聲波（20-40kHz）增強(qiáng)空化效應(yīng)，分解頑固膠體并清除亞微米顆粒（≥10nm）。

物理剝離機(jī)制

兆聲波清洗（可選）：高頻（1-3MHz）聲波產(chǎn)生微射流，精準(zhǔn)剝離臨時(shí)鍵合界面（如Si-Si直接鍵合片），減少基材損傷。

流體動(dòng)力學(xué)設(shè)計(jì)：多向噴淋與離心旋轉(zhuǎn)（200-500rpm）結(jié)合，覆蓋晶圓邊緣及復(fù)雜結(jié)構(gòu)區(qū)域。

二、關(guān)鍵組件與設(shè)計(jì)優(yōu)勢(shì)

耐腐蝕槽體

材質(zhì)：PFA涂層石英槽或PTFE內(nèi)襯，耐受強(qiáng)堿（如TMAH）、有機(jī)溶劑及高溫環(huán)境。

模塊化設(shè)計(jì)：支持多槽串聯(lián)（如預(yù)洗→主剝→漂洗→干燥），適配不同工藝需求。

精準(zhǔn)控溫與液體循環(huán)

PID溫控系統(tǒng)：±0.5℃精度，避免膠層碳化或基材熱損傷。

過(guò)濾與循環(huán)模塊：延長(zhǎng)化學(xué)液壽命，減少耗材成本（如DIW回收率>90%）。

自動(dòng)化與兼容性

手動(dòng)/自動(dòng)模式：支持單片處理或Cassette級(jí)聯(lián)加載（兼容6/8/12英寸晶圓）。

顆粒監(jiān)測(cè)：液態(tài)PDIA實(shí)時(shí)檢測(cè)清洗液潔凈度，反饋至PLC系統(tǒng)調(diào)整參數(shù)。

三、典型應(yīng)用場(chǎng)景

光刻后清潔：去除制程（5nm以下）中的光刻膠殘留，防止圖形邊緣粗糙化（如LER/CD偏差）。

臨時(shí)鍵合拆解：3D封裝（如HB-MRAM、芯片堆疊）中Si-Si或TCB臨時(shí)鍵合層的無(wú)損剝離。

刻蝕后處理：清除反應(yīng)副產(chǎn)物（如聚合物、金屬氟化物），保障后續(xù)CVD/PVD成膜均勻性。

濕法去膠剝離機(jī)臺(tái)通過(guò)化學(xué)腐蝕與物理輔助的協(xié)同作用，實(shí)現(xiàn)高效、均勻的納米級(jí)清潔，是光刻、刻蝕及3D封裝工藝中的設(shè)備，兼具成本效益與技術(shù)穩(wěn)定性，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造與研發(fā)領(lǐng)域。